Компания Samsung представила 30 нм модули памяти DDR3

Новое поколение более быстрых и энергоэффективных DRAM модулей будет доступно в розничной продаже уже этим летом.

Рид Салливан (Reid Sullivan), старший вице-президент по маркетингу мобильных развлечений компании Samsung, сообщил, что их техпроцесс 30 нм класса позволил создать невероятно сложную комбинацию низкого энергопотребления DDR3 с повышенной пропускной способностью памяти в 1,6 Гб/с.
Новые модули памяти Samsung появятся в продаже в двух вариантах: с объемом в 2 ГБ и в 4 ГБ, в конфигурациях UDIMM для домашних ПК и SODIMM, для ноутбуков. Эти модули обратно совместимы с более старыми системами и могут поставляться в упаковках по две штуки.

 

Салливан также заявил, что их память имеет энергопотребление на 2/3 ниже, чем память, произведенная по технологическому стандарту 60 нм. При этом новые модули имеют на 20% большую пропускную способность, чем старые, 40 нм DDR3 чипы Samsung.
Цена на новые модули памяти, с микросхемами 30 нм класса, составит от 30 до 55 долларов за один модуль, и от 55 до 110 долларов при покупке упаковки с двумя планками памяти.